什么是电感线圈及其相关基础
首先来解释一下四段号码的大概含义。
A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。
B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。
C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。
D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。
E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。
F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详细分解请看下一页。
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K
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X
X
为了方便大家更好的理解编号中的含义，大家可以将表中标明的1-8个部分根据图中的内存编号对号入座。
第1部分用“K”表示的是内存，只要是三星内存，这部分永远都是“K”。
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K
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X
X
X
第2部分表示内存的类别，由一个数字或者字母组成。“4”表示的是DRAM；
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K
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XX
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X
X
第3部分表示的是内存的子类别，由字母“T”或“H”组成。“T”代表的是DDR2内存，“H”代表的是DDR内存。1
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K
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X
X
第4部分表示的是内存的容量，由两个数字或者字母组成。根据容量的不同，该部分会出现“28”、“51”、“1G、“2G”、“4G”这5个组合，其中“28”代表128MB，“51”代表512MB，“1G”代表1GB，“2G”代表2GB，“4G”代表4GB。
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K
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第5部分表示的是内存颗粒的位宽，由两连个数字组成。根据颗粒位宽不同，该部分会出现“04”、“08”和“16”三个组合。其中“4”表示是该颗粒只有4bit位宽，“08”表示该颗粒有8bit位宽，“16”则表示有16bit位宽。
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K
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XX
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X
X
第6部分代表的是逻辑bank数，由一个数字组成。3表示4 bank，4表示8 bank。1
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K
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XX
X
X
X
第7部分代表的是接口类型与工作电压，由一个数字或字母组成。“8”表示接口类型为SSTL_2，工作电压为2.5V；“Q”表示接口类型为SSTL，工作电压为1.8V。
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K
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XX
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X
X
第8部分代表产品的版本，由一个字母组成，并且，该处的字母在字母表中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新。到目前为止，三星内存颗粒一共有9个版本，分别以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9个字母表示，其中M代表第1版产品，而A-H则依次代表第2-9版。
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K
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X
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根据以上我们对三星内存编号的了解，我们就能够知道图一中的内存颗粒的相关信息：256MB容量，8bit位宽，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作电压，第六版，生产与05年第16周，TOSP2封装，大众商用型，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间，工作频率为200MHz（DDR400），延迟为3-3-3。
