| 表二 | 双稳态电路的设计公式及计算实例 |
| 要求 | （1）输出幅度Um=6V,（2）上升时间，tr≤100nS
（3） 高工作频率fmax=1MHz |
| 步骤 | 计算公式 | 计算实例 |
| 选择晶体管 | 若工作频率高时，应选用高速硅开关管
若工作频率低可选用低频硅或锗管 | 现选3DK，β=50
二极管选用2CK10 |
| 选择电源电压 | 图3为设计电路，故应确定ED、EC、EB | ∵采用箝位电路，故选ED≈Um
∴ED=6V，Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
| 计算Rc | Rc＜Ec/ED tr/CL
CL为集电极对地的电容（**括加速电容、分布电容、后级输入电容） | 现设CL=180pF
Rc＜12/6 100×10 javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;" onload="javascript:if(this.width>600)this.style.width=600;" />http://www.3811111.com/Article/uploadimages/0020039-8.gif" width="9" height="11">/180×10javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;" onload="javascript:if(this.width>600)this.style.width=600;" />http://www.3811111.com/Article/uploadimages/0020039-9.gif" width="13" height="16">=1.1kΩ |
| 计算Rk、RB | 为保证可靠截止，应满足：
Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK＜Ubeo
为保证可靠饱和，应满足：
β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}＞[(Ec-Uces)/Rc]+IL
式中：Uces为饱和电压，对硅管Uces≈(0.3～0.4)V
Ubeo为截止管临界电压，Ubeo≈0.2V
Uco为截止管的集电极电压，应取：Uco=ED+(箝位管正向压降）IL为双稳电路灌入负截电流 | 现选Uces=0.4V,Ubeo=0.2V
0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk＜0.2
∴RB＜61RK (A)
现设IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V
50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]＞[(12-0.4)/1]+10
∴RB＞12.7RK/(5.7-0.43RK (B)
若选RK=6.8k由（A）算得RB＜415K，由(B)式算得RB＞31K，故选RB=39K |
| 选择CrRr | RrCr≤1/2fmax,通常Cr为几十pF
| 现选Cr=51pF
∴Rr≤1/6×10javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;" onload="javascript:if(this.width>600)this.style.width=600;" />http://www.3811111.com/Article/uploadimages/0020037-999.gif" width="7" height="11">51×10javascript:window.open(this.src);" style="cursor:pointer;" onload="javascript:if(this.width>600)this.style.width=600;" />http://www.3811111.com/Article/uploadimages/0020039-9.gif" width="13" height="16">=3.2k
故选Rr=2.4k |
| 选择加速电容CK | 对合金管CK为几百pF对高频外延管CK为几十pF | 现选Ck=51pF
计算结果标在图三中 |
