手机常用的一些基本概念和基本电子线路
(2)高通滤波器图3-20是RC元件构成的高通滤波器。图(a)是电路，图(b)是这一高通滤波器的幅频特性曲线。从这一曲线可以看出，当输入信号Ⅵ中频率低于转折频率仍时，输出受到明显的衰减。高于转折频率f0的信号输出大。这一电路的工作原理是，当频率低于f0的信号输入这一滤波器时，由于C1的容抗很大而受到阻止，输出减小，且频率愈低输出愈小。当频率高于f0的信号输入这一滤波器时，由于C1的容抗很小，故对信号无衰减作用，这样该滤波器具有让高频信号通过，阻止低频信号的作用，这一电路的转折频率扔由下式决定：
(3)带迪滤汲器带通滤波器可以让一定频带的信号通过，而阻止频带以外的信号。将高通滤波器和低通滤器组合在一起，适当设计电路参数，就可以构成所需要的带通滤波器。 2.LC无源滤波器 LC滤波器适用于高频信号的滤波，它由电感L和电容C所组成，由于感抗随频率增加而增加，而容抗随频率增加而减小，因此，LC低通滤波器的串臂接电感，并臂接电容，高通滤波器的L、C位置，则与它相反。带通滤波器则是二者的组合。需要说明的是，手机中的很多滤波器，如射频滤波器、一中频滤波器、二中频滤波器、发射滤波器等均已模块化。而不再是由简单的分立元件组成。 RC、LC还可以组合成许多电路，如选频放大电路、低频补偿电路、高频补偿电路、积分电路、微分电路、移相电路、陷波器等，这里不再一一分析。第四节场效应管电路手机电路中较多地采用了场效应管，场效应管与晶体管不同，它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。
一、场效应管的分类根据电场对导电沟道控制方式的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两种。
结型场效应管是利用加在PN结上的反向电压的大小控制PN结的厚度，从而改变导电沟道的宽窄，实现对漏极电流的控制作用。绝缘栅场效应管是利用绝缘栅在外电压的作用下，产生的感应电荷控制导电沟道的宽窄，绝缘栅场效应管又称为金金属氧化物场效应管简称MOS管。绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点是：当Vgs=0 时，Id(漏极电流)=0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。耗尽型场效应管的特点是：漏、源极间一开始就有一个原始导通沟道，即使Vgs=0，在漏极电压的作用下也有较大的漏极电流。根据半导体材料的不同，每一种又可分为N沟道和P沟道两类。这样，总共有六种场效应管。即：N沟道结型场效应管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型场效应管、N沟道耗尽型场效应管、P沟道增强型场效应管和P沟道耗尽型场效应管。场效应管分为三个极，分别是控制栅极G(相当于三极管的基极B)、源极S(相当于三极管的发射极E)和漏极D(相当于三极管的集电极C)。场效应管的分类、符号及特性曲线见上图3-21所示。
二、场效应管的偏置电路与三极管一样，场效应管必须加上适当的偏置，才能正常工作，这里介绍常用的几种偏置电路。
1.N沟道结型场效应管的偏置电路
(1)自偏置电路如图3-22所示。它是利用漏极电路①流过源极电阻RS，使得源极被提高了一个小的正电位。而栅极则保持零电位，栅极相对于源极呈现负电压，即：Vgs=-IsRs=-IDRDo，满足了它的反向偏置要求。RD是漏极电阻，起负载作用。
(2)分压式偏置电路， 如图3-23所示。分压器式偏置电路类似三极管的分压式偏置电路。栅极电压VG由电阻R1和R2构成的分压器提供。这偏置稳定性比自偏置电路好。由于N沟道结型场效应管的Vgs<0，因此，2.MOS场效应管的偏置电路 (1)耗尽型MOS场效应管的偏置电路耗尽型MOS场效应管可采用自偏置和分压器式偏置。对于N沟道耗尽型MOS场效应管来说，栅源为负、零或。正偏置，漏源为正。对于P沟道耗尽型MOS场效应管来说，栅源为正、零或负偏置，漏源为负。
