显示器高压包(行输出变压器)改用秘技
| 一、高压包的作用。 高压包，正名是行输出变压器，有人称为行包或行变，在显示器中其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、G1等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包，而是S校正电容，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温高频率高电压大电流的状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。 二、引起高压包损坏的病灶。 1、包内高压滤波电容击穿。 2、包内高压线圈匝间短路。 3、包内高压硅堆漏电或击穿。 4、包内初次级线圈短路 5、包内聚焦组件老化，使聚焦及加速电压不稳定。 6、包体绝缘性能下降，使高压包对内或对外打火。 三、与高压包相关的关键词。 1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是24KV到28KV；17寸机是29KV，19寸和21寸机是31KV到35KV。 2、FV——聚焦电压，有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得，电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的，就分为FV1和FV2，其实是内部多设一组电位器而已。 3、SV——加速极电压，也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得，其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压，而是在包内另设绕组，或在行管C极将逆程峰值整流获得，这样做的目的是使SV/G2受到电路控制，方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只能得到与B+一样的电压。 4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀，就需要加入动态聚焦电路，使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中，动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。 5、SFR——包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。 6、HVR——包内HV端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于HV端，阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是HV变动检测。 7、HVC——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样，检测高压变动。 8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得，G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度，进入显象管的G1电压是-30V到-100V，关机消亮点通常也在G1控制电路内完成，使关机时G1负压变低，显象管就被截止了。注意有些机型的G1电压�**潭ǖ纳踔潦墙拥氐模堑牧炼瓤刂品绞绞歉谋淙挂跫牡缪梗鼗恋惴绞绞撬布浣档鸵跫缪梗庹に彩备吡粒哐故头诺簟Ａ街至炼瓤刂品绞礁饔杏帕樱髦艷1可得到较大的亮度范围，但期间白平衡不均匀；调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。 9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片的同步信号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲，都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出，也可以在行管C极用分压电压取得，后者故障率较高。 10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器中，FB电压常作为高压包输出电压的参考点，反馈回二次电源，实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。 11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷端，用来检测HV的电流大小，当亮度过大时，HV电流必然增大，ABL电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表（MF10型）或兆欧表，就可测量ABL端到HV帽的电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。 12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈，其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包的线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。 13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言，线圈的阻抗为零（忽略线材本身的电阻率），但对于高频信号，三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ML（毫亨）。 14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。 15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同的整流方式，所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大；逆程整流的电压高而电流小，但两者的输出功率相同。 16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同，绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动，那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的；如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边的线头是正端，右边的线头是负端。将负端接地，在正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；将正端接地，在负端接以正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。 17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型的设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效的电路形式，实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。 18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。 1）采用二次电源调整的单管输出形式。以SONY-200GS为例，170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独的场效应管，这种方式与传统的行输出相类似。 2）没有二次电源的单管输出形式。以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压包，开关管是一只单独的场效应管，这种方式要求开关管的激励控制电路，能控制较大的占空比，以得到较大的高压调整范围。 3）采用高电压的****对称输出方式。以EMC/CTX等机型较多采用，180V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反接一只P型场效应管，输入反相的激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。 4）采用低电压的****对称输出方式。以飞利浦旧机芯较多采用，80V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。 5）采用储能变压器的双管输出方式。这种方式最为复杂，以三星、DELL旧机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化的方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正的开关管是场效应管。 19、高压独立高压包的绕组特点——由于在高压包内的电流近似于方波，效率很高，它的初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程的差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同，与上述15、16项对比，无论绕组在哪头接地，无论正整流还是负整流，所获得的电压值基本一样（类似于市电的交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高的电压，在800*600*60分辩率下，每圈的电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的电压值要高。 |
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2013-8-7 15:21:25统计：［］
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