IGBT原理及保护技术 续2
Cgc的充电电流增加,加快了uce的上升速度。
在实际应用中,IGBT的uge幅值也影响着饱和导通压降:uge增加,饱和导通电压将减小。由于饱和导通电压是IGBT发热的主要原因之一,因此必须尽量减小。通常uge为15~18V,若过高,容易造成栅极击穿。一般取15V。IGBT关断时给其栅极-发射极加一定的负偏压有利于提高IGBT的抗**扰能力,通常取5~10V。
2.栅极串联电阻对栅极驱动波形的影响
栅极驱动电压的上升、下降速率对IGBT开通关断过程有着较大的影响。IGBT的MOS沟道受栅极电压的直接控制,而MOSFET部分的漏极电流控制着双极部分的栅极电流,使得IGBT的开通特性主要决定于它的MOSFET部分,所以
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2011-6-17 0:51:32统计:[]

