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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2012-04-15 21:43:32
1、www.hnygpx.com结型场效应管的结构
场效应管的结构如图6.18所示
ssBbww,它是在一块N型半导体的两边利用
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杂质扩散出高浓度的P型区域
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,用P+表现,形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极,分辨称为漏极D和源极S。 把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果
8 tt t8.com在漏、源极间加上正向电压,N区中的多子(也www.hnygpx.com就是
www.hnygpx.com电子)可以
www.ssbbww.com导电。它们
www.Dddtt.com从源极S出发, 流向漏极D。电流方向由D指向S,称为漏极电流ID.。由于
www.ddd tt. com导电沟道是N型的,故称为N沟道结型场效应管。
2、www.hnygpx.com结型场效应管的特点
① vGS<0,Ri很高;www.hnygpx.com
② 电压把持器件;www.hnygpx.com
③ 单极性器件;www.hnygpx.com
3、www.hnygpx.comN沟道结型场效应管JFET的输出特点
在vGS=0时,沟道电阻最小,ID达到最大。
当vGS<0时,耗尽层变大,沟道电阻变大, 相应的ID降落。因此
www.8 t tt8. com形成图6.19所示
ssBbww的特点曲线。
4、www.hnygpx.com结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压把持器件:
通过VGS把持iD。从输出特点看,各条不同输出特点曲线的参变量是VGS。在恒流区,iD与VDS基础无关。并通过跨导gm=△iD/△VGS| VDS描写场效应管的放大作用。而晶体管是通过iB把持iC。参变量是iB。放大区,iC与VCE基础无关。通过电流放大系数β=△iC/△iB描写放大作用。
(2)iG=0。所以
8ttt8,直流、交换Ri都很高。而晶体管b极和e极处于正偏状态
www .ddd Tt. com,b~e间Ri较小:几千欧。
(3)场效应管利用
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的是一种极性的多子导电(单极型器件),具有噪声小,受外界T及辐射的影响小等特点(温度牢固性好)。
(4)由于
www.ddd tt. com场效应管对称,有时D--S极可互换利用。各项性能基础不受影响。利用时较方便、机动。但若制作时已将S和衬底连在一起,则D--S不能互换。
(5)场效应管的制作工艺简略,有利于大规模集成,且所占面积小,集成度高。
(6)MOS场效应管Ri高,G极的感应电荷不易泄放。 SiO2层薄,G极与衬底间等效电容很小,感应电荷少量即可形成高电压, 将SiO2击穿而损坏管。存放管子时,应将G--S短接,避免G极悬空。焊接时,烙铁外壳应接地良好
ssbbww.Com,防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的利用
场效应管在恒流区内工作时,当GS电压变更△VGS时, D极电流相应变更△iD。若将△iD通过较大的RL, 从RL上取出的△V0=△iDRL,可能
www.ssBBww.cOm比△VGS大许多
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倍,即△VGS得到了放大。所以
8ttt8场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。
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