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湖南阳光电子技术学校简介

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结型场效应管特性结构特点

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增大字体作者：佚名来源：本站整理发布时间：2012-04-15 21:43:32

1、www.hnygpx.com结型场效应管的结构　　

　　场效应管的结构如图6.18所示，它是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表现，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分辨称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也www.hnygpx.com就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
2、www.hnygpx.com结型场效应管的特点
　　① vGS＜0，Ri很高；www.hnygpx.com
　　② 电压把持器件；www.hnygpx.com
　　③ 单极性器件；www.hnygpx.com

3、www.hnygpx.comN沟道结型场效应管JFET的输出特点　

　在vGS=0时，沟道电阻最小，ID达到最大。

　　当vGS＜0时，耗尽层变大，沟道电阻变大，相应的ID降落。因此形成图6.19所示的特点曲线。

4、www.hnygpx.com结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压把持器件：
　　通过VGS把持iD。从输出特点看，各条不同输出特点曲线的参变量是VGS。在恒流区，iD与VDS基础无关。并通过跨导gm=△iD/△VGS| VDS描写场效应管的放大作用。而晶体管是通过iB把持iC。参变量是iB。放大区，iC与VCE基础无关。通过电流放大系数β=△iC/△iB描写放大作用。
(2)iG=0。所以，直流、交换Ri都很高。而晶体管b极和e极处于正偏状态，b～e间Ri较小：几千欧。
(3)场效应管利用的是一种极性的多子导电（单极型器件），具有噪声小，受外界T及辐射的影响小等特点（温度牢固性好）。
(4)由于场效应管对称，有时D--S极可互换利用。各项性能基础不受影响。利用时较方便、机动。但若制作时已将S和衬底连在一起，则D--S不能互换。
(5)场效应管的制作工艺简略，有利于大规模集成，且所占面积小，集成度高。
(6)MOS场效应管Ri高，G极的感应电荷不易泄放。 SiO2层薄，G极与衬底间等效电容很小，感应电荷少量即可形成高电压，将SiO2击穿而损坏管。存放管子时，应将G--S短接，避免G极悬空。焊接时，烙铁外壳应接地良好，防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的利用

　　场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变更△VGS时， D极电流相应变更△iD。若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，可能比△VGS大许多倍，即△VGS得到了放大。所以场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。　

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