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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2010-12-01 09:28:23
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示
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晶体二极管的伏安特性1、正向特性
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”
www .ddd Tt. com,当正向电压起过
www.hnygpx.com数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
晶体二极管的伏安特性2、反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压
8ttt8增加
www.8 t tt8. com时,反向电流基本保持不变,
www.ssbbww.Com的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外
,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。
晶体二极管的伏安特性3、击穿特性
当反向电压增加
www.8 t tt8. com到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。
www.ssbbww.Com的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。
晶体二极管的伏安特性4、频率特性
www.ddd tt. com结电容的存在,当频率高到某一
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时,容抗小到使PN结短路。
www.d dd tT. com二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频
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