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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2010-12-19 01:26:30
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此
www.8 t tt8. com它具有
SsbbwW.comP-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在
www.hnygpx.com条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域
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的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示
ssBbww。
假设发光是在P区中发生的,
8ttt8注入的电子与价带空穴直接复合而发光,
wwW.ssbbwW.coM先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(
www.hnygpx.com中心介于导带、介带
www.hnygpx.com附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量
www.hnygpx.com于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。
www.ddd tt. com复合是在少子扩散区内发光的,
8ttt8光仅在靠近PN结面数
mm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域
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的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间
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