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钽电容器的阳极选择
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开关式电源，微
8tTt8器和数字电路应用的一个共同趋势是降低高频工作时的噪声。
dd dtt. com做到这一点，元器件必须ssbbww. c om具备低ESR（电阻率）、高电容和高可靠性。
钽电容器阳极的总体表面积，特别是其表面积与体积比，是确定其ESR值的关键参数之一，总表面积越大，ESR值越大。使用多阳极是大幅降低钽电容器ESR值的其中一种方法，其做法是在一个电容体中使用多个
dddTt.com的电极材料。
传统的做法
在高寿命和高可靠性应用中，二氧化锰电板极常规钽电容器
www.是一个普遍
，二氧化锰电极系统较高的ESR是一个缺点。
阳极选择
单一阳极技术成为标准通用型选择是
www.ddd tt. com其出色的性价比。多阳极设计可提供更低的ESR值，但其缺点是生产成本要高于单阳极解决8t t t 8. c o m方案。
使用标准的芯片集成工艺的槽式阳极设计是低ESR与低成本折中的一种结果。因此www.8 t tt8. com，槽式设计通常用于价格敏感
ssbbww. com
低ESR更高可靠性的应用中，如电信基础设施、网络、服务器和军事/航空航天等应用。除了上述差异，多阳极的概念有另两处优势。
(1)多阳极设计具有更好的散热性能，这意味着多阳极电容
www.ssbbww.com承载更高的持续电流；同理，多阳极电容对抗电流浪涌危害的能力也更强。
(2)相较于单一的阳极，多阳极电容的单位容积效率较低，这
www.d dd tT. com了一种假设，认为多阳极不能达到与单一阳极一样的CV（定电压因素）。事实上，薄的阳极实现起来更
常见ssbbww多阳极类型
当今市场上常用的钽多阳极通常采用纵向排列3～5个阳极于一个电容体内的方法实现，如图1所示ssBbww。这实际8ttt8是从制造的角度来看的，
8 tt t8.com从ESR的角度，此解决8t t t 8. c o m办法则不如横向布局，横向布局中更薄的平板阳极有望进一步减小ESR。
图1 多阳极装置在一个电容器体中使用两个或两个以上
的阳极纵向设计的结构中，一个阳极通过电极银胶环氧树脂连接到第二个，再到另一个电极引线框。同样的做法被使用于标准的单阳极电容中，因此www.8 t tt8. com其制造技术与旧有的类似，无须为多阳极设计的新技术环节追加
8ttt8额外投资。
另一方面www.sSbbww.com，横向设计需要sSbBwW.cOm为阳极之间
www.d dd tT. com了代价高昂的技术修改。因此www.8 t tt8. com，迄今为止这种设计并没有被用于单一多阳极电容的批量生产。横向的设计更经常使用于
特殊应用中，方式是通过焊接或跳汰系统，将两个或两个以上完整的电容器叠加到阵列或模块中。横向和纵向结构两者ESR性能之间
www.hnygpx.com例子是基于对D类电容器的理论计算，图2表明，两阳极横向结构与三阳极系统的纵向结构的ESR值相似。然而，
www.hnygpx.com而言横向结构在ESR上性价比优势更显著。
图2 横向和纵向结构性能表现相似，成本成为决定因素
SsbbwW.com在3.5～4.5mm。今天，这一因素更显
www.hnygpx.com，甚至在有如电信基础设施、军事等应用中，电子产品的小型化也正成为一个考验，这在过去是不曾有的。利用
两个阳极横向“镜像”结构，研究人员已经开发出一种新型的多阳极结构。镜像结构使用改良的引线框形状，引线框定位于两阳极
www.hnygpx.com。这种结构解决8t t t 8. c o m了电极横向排列的连接问题，并使工艺改�**延孟陆档搅丝山邮艿乃健�两阳极镜像设计的ESR性能稍逊色于三阳极纵向结构的效果，但它制造起来更便宜。镜像设计的主要好处在于wwW.SsbBww.Com，它使多阳极电容器的高度减小，最低下降到3.1mm。
利用
镜像设计的其他优点是，其对称的布局有助于减少自感（ESL）。对称的结构对电感回路作了部分补偿，有利于将ESL降低至采用经典引线框设计的方案之下。一个D类单阳极设计的ESL值为2.4nH，典型值为2.1nH左右。镜像设计的ESL值约1nH为常规设计的一半。这会将镜像多阳极的共振频率升至更高值，如图3所示ssBbww。
图3 镜像设计的性能（a）显示出其电容随频率下降值低于单阳极解决8t t t 8. c o m方案，并且其（b）ESR值
8tt t 8. com如此
镜像结构8 tt t8.com使用更薄的阳极，电容将随频率下降至更低。镜像设计的共振频率改变，其原因是目前SsbbwW.com的 DC/DC转换器其开关频率的工作范围（250～500kH）会因降低ESL而显著升高。
镜像设计的另一个好处是改善了其散热性能如图4所示ssBbww，纹波电流在阳极产生的热量通过PCB板上的引线和钽丝得以发散冷却。
图4 镜像设计（a）
因此www.8 t tt8. com，
ssbbww.com单阳极D类电容可连续散热只有150mW，但类似尺寸的镜像结构电容www.ssbbww.com8tTt8255mW。镜像横向型多阳极电容器目前可达到的电容值为220～1000mF，电压为2.5～10V，ESR值为25～35mW。未来的发展将进一步扩展电压范围至35和50V，这将使电容器在设计高度日趋www.hnygpx.com的电信新应用中非常具吸引力。单个35～50V电容在 3.1mm的最大高度内拥有10～22mF的电容量，65～140mW的ESR值，这是其他任何
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