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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2012-04-15 21:50:04
一、www.hnygpx.com场效应管知识_结型场效应管
(一) JFET的结构和特点
什么是场效应管1、www.hnygpx.com结型场效应管的结构
场效应管的结构如图6.18所示
ssBbww,它是在一块N型半导体的两边利用
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杂质扩散出高浓度的P型区域
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,用P
+表现,形成两个P
+N结。N型半导体的两端引出两个电极,分辨称为
漏极D和
源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为
栅极G。如果
8 tt t8.com在漏、源极间加上正向电压,N区中的多子(也www.hnygpx.com就是
www.hnygpx.com电子)可以
www.ssbbww.com导电。它们
www.Dddtt.com从源极S出发,流向漏极D。电流方向由D指向S,称为漏极电流I
D.。由于
www.ddd tt. com导电沟道是N型的,故称为N沟道结型场效应管。
什么是场效应管2、www.hnygpx.com结型场效应管的特点
① v
GS<0,R
i很高;www.hnygpx.com
② 电压把持器件;www.hnygpx.com
③ 单极性器件;www.hnygpx.com
什么是场效应管3、www.hnygpx.comN沟道结型场效应管JFET的输出特点
在v
GS=0时,沟道电阻最小,I
D达到最大。
当v
GS<0时,耗尽层变大,沟道电阻变大,相应的I
D降落。因此
www.8 t tt8. com形成图6.19所示
ssBbww的特点曲线。
什么是场效应管4、www.hnygpx.com结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压把持器件:
通过V
GS把持i
D。从输出特点看,各条不同输出特点曲线的参变量是V
GS。在恒流区,i
D与V
DS基础无关。并通过跨导g
m=△i
D/△V
GS|V
DS描写场效应管的放大作用。而晶体管是通过i
B把持i
C。参变量是i
B。放大区,i
C与V
CE基础无关。通过电流放大系数β=△i
C/△i
B描写放大作用。
(2)i
G=0。所以
8ttt8,直流、交换R
i都很高。而晶体管b极和e极处于正偏状态
www .ddd Tt. com,b~e间R
i较小:几千欧。
(3)场效应管利用
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的是一种极性的多子导电(单极型器件),具有噪声小,受外界T及辐射的影响小等特点(温度牢固性好)。
(4)由于
www.ddd tt. com场效应管对称,有时D--S极可互换利用。各项性能基础不受影响。利用时较方便、机动。但若制作时已将S和衬底连在一起,则D--S不能互换。
(5)场效应管的制作工艺简略,有利于大规模集成,且所占面积小,集成度高。
(6)MOS场效应管R
i高,G极的感应电荷不易泄放。 S
iO2层薄,G极与衬底间等效电容很小,感应电荷少量即可形成高电压,将S
iO2击穿而损坏管。存放管子时,应将G--S短接,避免G极悬空。焊接时,烙铁外壳应接地良好
ssbbww.Com,防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的利用
场效应管在恒流区内工作时,当GS电压变更△V
GS时,D极电流相应变更△i
D。若将△i
D通过较大的R
L,从R
L上取出的△V
0=△i
DR
L,可能
www.ssBBww.cOm比△V
GS大许多
8ttt8
倍,即△V
GS得到了放大。所以
8ttt8场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。
二、www.hnygpx.com场效应管知识_MOS型场效应管
JFET的输入电阻可达10
7欧姆,但就本质而言,这是PN结的反向电阻,而反向偏置时总有反向电流存在,这就限制了在某些工作条件下对阻值的更高恳求
dDdtt
。同时
ssbbww. com,从制作工艺看,把它高度集成化还比较复杂
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。
绝缘栅型场效应管由金属 - 氧化物 -半导体场效应管制成,称为Metal-Oxide-Semiconductor,简称为MOSFET,这种场效应管的栅极被绝缘层(例如S
iO2)隔离,因此
www.8 t tt8. comR
i更高,可达10
9 欧姆以上
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。
MOS管与JFET的不同之处在于
wwW.SsbBww.Com它们
www.Dddtt.com的导电机构和电流把持原理不同。JFET利用
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耗尽层的宽度转变导电沟道的宽度来把持I
D,OSFET则是利用
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半导体表面的电场效应,由感应电荷的多少转变导电沟道来把持电流。
MOS管分为N沟道和P沟道两类, 每一类又分为加强型和耗尽型:
加强型:当V
GS=0,无导电沟道,I
D=0
耗尽型:当V
GS=0,有导电沟道,I
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