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SDRAM能与EDO RAM混用吗
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SDRAM能与EDO RAM混用吗 SDRAM是新一代的动态存储器,又称为同步动态存储器或同步DRAM。它可以与CPU总线利用 同一个时钟,而EDO和FPM存储器则与CPU总线是异步的。目前SDRAM存储器的读写周期一般为5-1-1-1。相比之下,EDO内存器一般为6-2-2-2。也就是说,SDRAM的读写周期比EDO少4个,大约节俭存储器读写时间28%,但实际上由于打算机内其它设备的制约,利用 SDRAM的打算机大约可进步性能5~10%。 虽然有不少主机支撑SDRAM与EDO内存混杂安装方法,但是最好不要混用。原因是多数SDRAM只能在3.3V下工作,而EDO内存则多数在5V下工作。虽然主机板上对DIMM和SIMM分辨供电,但它们的数据线总是要连在一起的,如果SIMM(72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用,尽管开端系统可以正常工作,但可能在利用一段时间后,会造成SDRAM的数据输入端 被损坏。 当然,如果你的SDRAM是宽电压(3V~5V)工作的产品,就不会涌现这种损坏状况。目前T1和SUMSUNG的某些SDRAM产品支撑宽电压工作方法,可以与EDO内存混用。