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作者:佚名 来源:本站整理 发布时间:2012-04-15 21:45:29
VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1mA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等精良特点。正是由于
www.ddd tt. com它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此
www.8 t tt8. com在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得
ssbbww广泛
8ttt8
利用。
众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一程度面的芯片上,其工作电流基础上是沿程度方向流动。VMOS管则不同,从左下图www.hnygpx.com上可以
www.ssbbww.com看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;www.hnygpx.com第二,具有垂直导电性。由于
www.ddd tt. com漏极是从芯片的背面引出,所以
8ttt8ID不是沿芯片程度流动,而是
8ttt8自重掺杂N+区(源极S)出发,经过
ssbbwwP沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下达到漏极D。电流方向如图中箭头所示
ssBbww,由于
8 Tt t 8. com流通截面积增大,所以
8ttt8能通过大电流。由于
www.ddd tt. com在栅极与芯片之间
国内生产VMOS场效应管的重要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,范例产品有VN401、www.hnygpx.comVN672、www.hnygpx.comVMPT2等。VMOS场效应管IRFPC50的外型如右上图www.hnygpx.com所示
场效应管的检测1. 判定栅极G